上周先是路透社援引消息人士称，美国政府正考虑将中芯国际列入贸易黑名单。受此冲击，本周一中芯国际在两地市场均大幅低开，收盘H股暴跌23%，A股重挫11%。其后又有《日经亚洲评论》报道，中芯国际计划于年底前在完全不使用美国设备下，试产40nm芯片，并拟三年内生产28nm芯片。

一来一回之间，中美之间的芯片战貌似又上了一个台阶。但事实上，美国政府对于中芯国际的制裁，甚至是早于对华为的“围剿”，虽然不是以官方禁令的面目出现的。

2018年，中芯国际曾向荷兰ASML公司采购极紫外线(EUV)光刻机，按计划设备应在2019年到货，但由于受到美国阻拦，至今未能到达中国。而针对光刻机的技术封锁，如同是为中芯国际的芯片制程设置了天花板。即是说，在光刻机可以完全国产替代之前，中芯国际最多只能做到7nm芯片。

按照中芯国际的发展进程，今年底可实现14nm芯片的量产。而根据公司联席CEO梁孟松的计划，预计将在2021-2022年实现N+1工艺的量产，相当于目前台积电7nm芯片的水平。从现在开始算起，中芯国际还有两年的时间就会触及自身的技术上限。

那麽，国产EUV的国产替代需要等多久呢?根据2015年发布的《中国制造2025规划》，攻克国产EUV光刻机技术关口的时间点是在2030年。这也意味着，未来十年内中国芯片制程都难以跨越7nm的门槛。当然，《中国制造2025规划》制定时，中美关系还未全面恶化，半导体制造业的国产化未如现在这般紧迫。想必国家未来将持续加大资源投入，加快EUV光刻机的研发进度。

美国着力打压中芯国际，背后暴露的却是自己的短板。盖因美国在全球半导体产业链的上游，如半导体原材料、芯片设计，以及半导体生产设备与EDA软件领域均处于垄断地位。唯独芯片制造业“跛脚”，相对中国并不存在明显优势。业内预计，美国今年的晶圆产能下滑至全球第五位，排在中国台湾、韩国、日本，以及中国内地之后。

也正因此，中芯国际在将芯片量产制程由14nm向7nm推进的同时，部署少数生产线“去美化”，符合目前的国际形势与产业条件。相信后面的道路还很漫长，这场战事只是行至中场。