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第一、二、三代半导体

2020-09-29 04:24:41大公报
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第一代

主要材料:

锗(Ge)、硅(Si)等单元素半导体

发展过程:

上世纪五、六十年代逐步应用於晶体管

主要应用:

低电压、低频、中功率晶体管和光电探测器

第二代

主要材料:

砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体

发展过程:

上世纪八十年代逐步发展起来

主要应用:

卫星通信、移动通信、光通信和GPS导航等

第三代

主要材料:

主要代表是氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)

发展过程:

上世纪九十年代开始逐步发展

主要应用:

高电压、高频、高功率的电力电子、电源管理等

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