第一代
主要材料:
锗(Ge)、硅(Si)等单元素半导体
发展过程:
上世纪五、六十年代逐步应用於晶体管
主要应用:
低电压、低频、中功率晶体管和光电探测器
第二代
砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
上世纪八十年代逐步发展起来
卫星通信、移动通信、光通信和GPS导航等
第三代
主要代表是氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)
上世纪九十年代开始逐步发展
高电压、高频、高功率的电力电子、电源管理等