图：去年上海举行的半导体博览会上，参观者透过显微镜观察光刻机的製作图示
现时的晶片都是从沙粒提炼高纯度的矽，再由光刻机在矽片上刻上电路而製成，情况就像将木製成雪白的纸，再用打印机印上资料一样。不过，用矽生产晶片已经贴近其精细度的极限，所以中国现时採取“两条腿走路”，除了继续自主研发更精密的光刻机外，亦同时研究利用碳作为製造晶片的新物料，将目前整个生产流程推倒。
矽芯精细度已近极限
按目前的技术推算，使用矽製造的晶片，最精细只能做到1至1.5nm，极限过后便再无法进步。事实上，在90nm进步至65nm，只花了约两年的时间；65nm到32nm要四年；32nm到10nm要用上七年。愈贴近极限，难度就愈高。在此情况下，由於中国在研发矽晶片的生产上，其实和其他国家一样，都会面对矽的物理极限问题，因此中国亦同时加快研发用碳来生产晶片。
使用碳作为晶片的物料，同样需要光刻机，但例如90nm製程的碳晶片，其表现跟目前28nm的矽晶片相若；28nm的碳晶片已达至跟7nm矽晶片相若。在此情况下，中国便可以在短期内，以较次的光刻机，生产出目前最高水平的晶片，并同时赢得时间继续研发更高水平的光刻机。由於推动碳晶片下，光刻机亦会有所调节，因此外国的优势亦会失去，反而中国因先研先试，可望实现“弯道超车”，倒过来领先全球。
