图：众多顾客在产品展台前试用新发布的华为5G手机。

　　荷兰阿斯麦（ASML）目前在售的深紫外线（DUV）光刻机中，有4种高端的浸润式光刻机，采用多重曝光技术，最高能实现7纳米晶片工艺。而通过多重曝光会导致良率降低、工时效率低、成本增加等问题。所以如果光刻机精度跟得上的情况下，一般不会采用多次曝光的技术，因为效率降低，同时良率也会显著下滑，最终导致成本可能成倍数上涨，非常不划算的。

　　不过要进入5纳米，就必须使用极紫外线（EUV）光刻机，因为DUV光刻机精度有限，不能无限的多次曝光。目前DUV光刻技术最多4次曝光，且只能达到7纳米。