合肥晶合集成电路有限公司。新站高新区管委会供图。

　　4月9日,位于合肥新站综保区的晶合集成电路有限公司宣布，继90纳米CIS和55纳米堆栈式CMOS图像传感器(CIS)实现量产后，该公司55纳米单芯片、5000万高像素背照式图像传感器（BSI）近期迎来量产，并由中低端向中高端应用跨越式迈进。晶合集成规划CIS产能将在今年内迎来倍速增长，出货量占比将显著提升，成为显示驱动芯片之外的第二大产品主轴。

　　近年来，5000万像素CIS已在智能手机配置上加速渗透。作为合肥集成电路产业的支撑性企业，晶合集成与国内设计公司合作，基于自主研发的55纳米工艺平台，使用背照式工艺技术复合式金属栅栏，不仅提升了产品进光量，还兼具高动态范围、超低噪声、PDAF相位检测对焦等优势。

　　此外，该技术采用单芯片技术架构，既减少芯片用量，也缩短了芯片生产周期，同时将像素规格微缩20%，像素尺寸达到0.702μm，整体像素提高至5000万水准，将广泛应用在智能手机主摄、辅摄及前摄镜头等。

　　目前，合肥新站高新区综合保税区已迈入百亿产业园区，引进和培育了晶合、奕瑞、汇成、颀中等一批具有国际影响力的行业龙头。2024年1-2月，该综保区实现进出口额29.47亿元（人民币），同比增长24.2%，增速居安徽省综保区第二。